Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPW65R150CFDAFKSA1

IPW65R150CFDAFKSA1

Infineon-IPX65R150CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043399628450139af71b2a12046
Код товару: 207780
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
очікується: 16 шт
  • 16 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPW65R150CFDAFKSA1 за ціною від 213.74 грн до 394.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPW65R150CFDAFKSA1 IPW65R150CFDAFKSA1 Infineon Technologies ds_ipx65r150cfda_final2.0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fileiddb3a3043399628.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+229.83 грн
500+218.05 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R150CFDAFKSA1 IPW65R150CFDAFKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPX65R150CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043399628450139af71b2a12046 Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+394.43 грн
30+213.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R150CFDAFKSA1 IPW65R150CFDAFKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPX65R150CFDA_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs N-Ch 650V 22.4A TO247-3
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R150CFDAFKSA1 IPW65R150CFDAFKSA1 INFINEON 2820334.pdf Description: INFINEON - IPW65R150CFDAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 195.3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R150CFDAFKSA1 ds_ipx65r150cfda_final2.0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fileiddb3a3043399628.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7.pdf
IPW65R150CFDAFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
154+229.83 грн
500+218.05 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R150CFDAFKSA1 Infineon-IPX65R150CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043399628450139af71b2a12046
IPW65R150CFDAFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+394.43 грн
30+213.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R150CFDAFKSA1 Infineon_IPX65R150CFDA_DS_v02_00_en.pdf
IPW65R150CFDAFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 22.4A TO247-3
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R150CFDAFKSA1 2820334.pdf
IPW65R150CFDAFKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R150CFDAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 195.3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.