IPW65R150CFDFKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 367.09 грн |
| 10+ | 271.60 грн |
| 25+ | 210.27 грн |
| 100+ | 182.85 грн |
| 240+ | 166.85 грн |
| 480+ | 157.71 грн |
| 1200+ | 145.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R150CFDFKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPW65R150CFDFKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPW65R150CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|
|
IPW65R150CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|
|
IPW65R150CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|
|
IPW65R150CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |


