Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW65R190C7XKSA1
IPW65R190C7XKSA1

IPW65R190C7XKSA1 Infineon Technologies

3616ds_ipw65r190c7_2_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+176.22 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 240 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW65R190C7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW65R190C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.404 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 72W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.404ohm.

Інші пропозиції IPW65R190C7XKSA1 за ціною від 138.77 грн до 401.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPW65R190C7XKSA1 IPW65R190C7XKSA1 Infineon Technologies INFNS28170-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+334.69 грн
30+179.44 грн
60+162.29 грн
120+138.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190C7XKSA1 IPW65R190C7XKSA1 Infineon Technologies 3616ds_ipw65r190c7_2_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+363.96 грн
50+358.30 грн
200+203.67 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190C7XKSA1 IPW65R190C7XKSA1 Infineon Technologies 3616ds_ipw65r190c7_2_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+400.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190C7XKSA1 IPW65R190C7XKSA1 Infineon Technologies 3616ds_ipw65r190c7_2_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+400.01 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190C7XKSA1 IPW65R190C7XKSA1 Infineon Technologies 3616ds_ipw65r190c7_2_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+401.31 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190C7XKSA1 IPW65R190C7XKSA1 Infineon Technologies 3616ds_ipw65r190c7_2_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+401.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190C7XKSA1 IPW65R190C7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPW65R190C7_DS_v02_01_en.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190C7XKSA1 IPW65R190C7XKSA1 INFINEON INFNS28170-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW65R190C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.404 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.404ohm
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190C7XKSA1 INFNS28170-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPW65R190C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+334.69 грн
30+179.44 грн
60+162.29 грн
120+138.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190C7XKSA1 3616ds_ipw65r190c7_2_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf
IPW65R190C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+363.96 грн
50+358.30 грн
200+203.67 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190C7XKSA1 3616ds_ipw65r190c7_2_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf
IPW65R190C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+400.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190C7XKSA1 3616ds_ipw65r190c7_2_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf
IPW65R190C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+400.01 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190C7XKSA1 3616ds_ipw65r190c7_2_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf
IPW65R190C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+401.31 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190C7XKSA1 3616ds_ipw65r190c7_2_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf
IPW65R190C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+401.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190C7XKSA1 Infineon_IPW65R190C7_DS_v02_01_en.pdf
IPW65R190C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190C7XKSA1 INFNS28170-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW65R190C7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R190C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.404 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.404ohm
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.