IPW65R190C7XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 250.6 грн |
| 30+ | 191.34 грн |
| 120+ | 164.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R190C7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW65R190C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.404 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 72W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.404ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPW65R190C7XKSA1 за ціною від 202.95 грн до 357.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW65R190C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET HIGH POWER_NEW |
на замовлення 480 шт: термін постачання 1031-1040 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPW65R190C7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW65R190C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.404 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 72W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.404ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPW65R190C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
 |
IPW65R190C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
IPW65R190C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
IPW65R190C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |