IPW65R190CFD7AXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 240 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 389.44 грн |
10+ | 358.01 грн |
25+ | 268.50 грн |
100+ | 251.08 грн |
240+ | 137.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R190CFD7AXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 77W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 400 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPW65R190CFD7AXKSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
IPW65R190CFD7AXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
IPW65R190CFD7AXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IPW65R190CFD7AXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.4A, 10V Power Dissipation (Max): 77W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Grade: Automotive Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |