IPW65R190CFDFKSA2

IPW65R190CFDFKSA2 Infineon Technologies


Infineon_IPX65R190CFD_DS_v02_07_en-1485079.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_LEGACY
на замовлення 88 шт:

термін постачання 140-149 дні (днів)
Кількість Ціна
2+315.95 грн
10+265.01 грн
25+175.40 грн
100+144.58 грн
240+140.91 грн
480+120.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW65R190CFDFKSA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 151W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPW65R190CFDFKSA2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPW65R190CFDFKSA2 IPW65R190CFDFKSA2 Виробник : Infineon Technologies 3956ds_ipx65r190cfd_2_7.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfi.pdf 650V Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190CFDFKSA2 IPW65R190CFDFKSA2 Виробник : Infineon Technologies 3956ds_ipx65r190cfd_2_7.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfi.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190CFDFKSA2 IPW65R190CFDFKSA2 Виробник : Infineon Technologies 3956ds_ipx65r190cfd_2_7.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfi.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190CFDFKSA2 IPW65R190CFDFKSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPX65R190CFD-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30432fd0c54a012fded065a8309b Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.