на замовлення 88 шт:
термін постачання 140-149 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 316.71 грн |
| 10+ | 265.65 грн |
| 25+ | 175.83 грн |
| 100+ | 144.93 грн |
| 240+ | 141.25 грн |
| 480+ | 120.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R190CFDFKSA2 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 151W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPW65R190CFDFKSA2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW65R190CFDFKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 650V Power Transistor |
товару немає в наявності |
|
 |
IPW65R190CFDFKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|
|
|
IPW65R190CFDFKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
IPW65R190CFDFKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |