Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW65R280C6FKSA1
IPW65R280C6FKSA1

IPW65R280C6FKSA1 Infineon Technologies

IPW65R280C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30432a7fedfc012a8aceded858e0
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
171+117.66 грн
Мінімальне замовлення: 171
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW65R280C6FKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IPW65R280C6FKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPW65R280C6FKSA1 IPW65R280C6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPW65R280C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30432a7fedfc012a8aceded858e0 Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R280C6FKSA1 IPW65R280C6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPW65R280C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30432a7fedfc012a8aceded858e0 MOSFET LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.