Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW65R280C6FKSA1
IPW65R280C6FKSA1

IPW65R280C6FKSA1 Infineon Technologies

IPW65R280C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30432a7fedfc012a8aceded858e0 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+117.60 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW65R280C6FKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPW65R280C6FKSA1 за ціною від 135.35 грн до 142.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPW65R280C6FKSA1 IPW65R280C6FKSA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS INFN-S-A0004583427-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW65R280C6FKSA1 - IPW65R280 650V AND 700V COOLMOS N-CHANN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
187+135.35 грн
Мінімальне замовлення: 187
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R280C6FKSA1 IPW65R280C6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies 1864532839044666ipw65r280c6_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fileid.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
215+142.34 грн
Мінімальне замовлення: 215
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R280C6FKSA1 IPW65R280C6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies 1864532839044666ipw65r280c6_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fileid.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
215+142.34 грн
Мінімальне замовлення: 215
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R280C6FKSA1 IPW65R280C6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies 1864532839044666ipw65r280c6_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fileid.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R280C6FKSA1 IPW65R280C6FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPW65R280C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R280C6FKSA1 IPW65R280C6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPW65R280C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30432a7fedfc012a8aceded858e0 Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R280C6FKSA1 IPW65R280C6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPW65R280C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30432a7fedfc012a8aceded858e0 MOSFET LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R280C6FKSA1 IPW65R280C6FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPW65R280C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.