Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW65R280E6FKSA1
IPW65R280E6FKSA1

IPW65R280E6FKSA1 Infineon Technologies

IPW65R280E6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432a7fedfc012a9e4d5aa80758 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+105.48 грн
Мінімальне замовлення: 200
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW65R280E6FKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPW65R280E6FKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPW65R280E6FKSA1 IPW65R280E6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipb65r280e6_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IPW65R280E6FKSA1 IPW65R280E6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPW65R280E6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432a7fedfc012a9e4d5aa80758 Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
товар відсутній