IPW65R310CFDFKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 9448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 187+ | 163.30 грн |
| 500+ | 147.07 грн |
| 1000+ | 135.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R310CFDFKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPW65R310CFDFKSA1 за ціною від 121.58 грн до 121.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPW65R310CFDFKSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW65R310CFDFKSA1 - IPW65R310 650V AND 700V COOLMOS N-CHANNtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
IPW65R310CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IPW65R310CFDFKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.4A; 104.2W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11.4A Power dissipation: 104.2W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.31Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IPW65R310CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
IPW65R310CFDFKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.4A; 104.2W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11.4A Power dissipation: 104.2W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.31Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |