IPW65R420CFDFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO247-3
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 0.42Ω
Kind of package: tube
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.7A
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 197.72 грн |
| 3+ | 164.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R420CFDFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IPW65R420CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8.7 A, 0.378 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 83.3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83.3W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD2, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.378ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.378ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPW65R420CFDFKSA1 за ціною від 171.08 грн до 283.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPW65R420CFDFKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO247-3 Technology: CoolMOS™ Case: PG-TO247-3 Mounting: THT On-state resistance: 0.42Ω Kind of package: tube Power dissipation: 83.3W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 650V Drain current: 8.7A Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPW65R420CFDFKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW65R420CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8.7 A, 0.378 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD2 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.378ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.378ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPW65R420CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IPW65R420CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247 |
товар відсутній |