IPW65R420CFDFKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 213+ | 146.13 грн |
| 500+ | 137.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R420CFDFKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW65R420CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8.7 A, 0.378 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83.3W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.378ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPW65R420CFDFKSA1 за ціною від 133.24 грн до 267.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW65R420CFDFKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO247-3 Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.42Ω Drain current: 8.7A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 83.3W Drain-source voltage: 650V |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IPW65R420CFDFKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO247-3 Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.42Ω Drain current: 8.7A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 83.3W Drain-source voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPW65R420CFDFKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW65R420CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8.7 A, 0.378 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.378ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPW65R420CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IPW65R420CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |