IPW65R660CFDFKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V
на замовлення 8160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 302+ | 75.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R660CFDFKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 6A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPW65R660CFDFKSA1 за ціною від 82.43 грн до 91.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW65R660CFDFKSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW65R660CFDFKSA1 - IPW65R660 650V AND 700V COOLMOS N-CHANN tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 14517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPW65R660CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IPW65R660CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 14277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPW65R660CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
| IPW65R660CFDFKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPW65R660CFDFKSA1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||
|
|
IPW65R660CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 6A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |