Продукція > INFINEON > IPW80R280P7XKSA1
IPW80R280P7XKSA1

IPW80R280P7XKSA1 INFINEON

INFN-S-A0002831579-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW80R280P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.24 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+264.09 грн
10+222.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW80R280P7XKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPW80R280P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.24 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 101W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPW80R280P7XKSA1 за ціною від 108.15 грн до 440.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPW80R280P7XKSA1 IPW80R280P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPW80R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e96482cb07dc Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 500 V
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+292.06 грн
30+130.79 грн
120+123.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R280P7XKSA1 IPW80R280P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPW80R280P7_DS_v02_01_EN-1731971.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+307.27 грн
10+218.28 грн
25+130.22 грн
100+121.39 грн
240+111.82 грн
480+108.88 грн
1200+108.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R280P7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPW80R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e96482cb07dc IPW80R280P7 THT N channel transistors
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+440.70 грн
5+267.60 грн
12+253.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R280P7XKSA1 IPW80R280P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 2389181422147751infineon-ipw80r280p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46255dd933d0155e9.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.