Продукція > INFINEON > IPW80R360P7XKSA1
IPW80R360P7XKSA1

IPW80R360P7XKSA1 INFINEON


Infineon-IPW80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b56d7ed84018a Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW80R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 84W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+179.07 грн
10+174.05 грн
100+88.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW80R360P7XKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPW80R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 84W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPW80R360P7XKSA1 за ціною від 96.34 грн до 284.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPW80R360P7XKSA1 IPW80R360P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPW80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b56d7ed84018a Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.83 грн
30+150.09 грн
120+122.74 грн
510+96.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R360P7XKSA1 IPW80R360P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 2377792822597691infineon-ipw80r360p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625b3ca4ec015b56.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R360P7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPW80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b56d7ed84018a IPW80R360P7 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R360P7XKSA1 IPW80R360P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPW80R360P7_DS_v02_01_EN-3362980.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.