Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW90R120C3XKSA1
IPW90R120C3XKSA1

IPW90R120C3XKSA1 Infineon Technologies

ipw90r120c3_1.0.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+969.66 грн
480+932.01 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW90R120C3XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW90R120C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 36 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPW90R120C3XKSA1 за ціною від 735.10 грн до 1460.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPW90R120C3XKSA1 IPW90R120C3XKSA1 Infineon Technologies ipw90r120c3_1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+969.66 грн
480+932.01 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3XKSA1 IPW90R120C3XKSA1 Infineon Technologies ipw90r120c3_1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+991.92 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3XKSA1 IPW90R120C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW90R120C3-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043183a955501185000e1d254f2 Description: MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.9mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1334.71 грн
30+802.82 грн
120+735.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3XKSA1 IPW90R120C3XKSA1 Infineon Technologies ipw90r120c3_1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1451.74 грн
10+1392.69 грн
25+918.77 грн
100+877.08 грн
240+797.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3XKSA1 IPW90R120C3XKSA1 Infineon Technologies ipw90r120c3_1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1460.57 грн
11+1401.16 грн
25+924.36 грн
100+882.41 грн
240+802.07 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3XKSA1 IPW90R120C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPW90R120C3_DS_v01_00_en-1622473.pdf MOSFETs HIGH POWER_LEGACY
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3XKSA1 IPW90R120C3XKSA1 INFINEON 1392455.pdf Description: INFINEON - IPW90R120C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 36 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3XKSA1 ipw90r120c3_1.0.pdf
IPW90R120C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+969.66 грн
480+932.01 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3XKSA1 ipw90r120c3_1.0.pdf
IPW90R120C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+991.92 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3XKSA1 Infineon-IPW90R120C3-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043183a955501185000e1d254f2
IPW90R120C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.9mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1334.71 грн
30+802.82 грн
120+735.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3XKSA1 ipw90r120c3_1.0.pdf
IPW90R120C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1451.74 грн
10+1392.69 грн
25+918.77 грн
100+877.08 грн
240+797.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3XKSA1 ipw90r120c3_1.0.pdf
IPW90R120C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+1460.57 грн
11+1401.16 грн
25+924.36 грн
100+882.41 грн
240+802.07 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3XKSA1 Infineon_IPW90R120C3_DS_v01_00_en-1622473.pdf
IPW90R120C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_LEGACY
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3XKSA1 1392455.pdf
IPW90R120C3XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW90R120C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 36 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.