Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW90R120C3XKSA1
IPW90R120C3XKSA1

IPW90R120C3XKSA1 Infineon Technologies

ipw90r120c3_1.0.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+1008.80 грн
480+969.63 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 240 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW90R120C3XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW90R120C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 36 A, 0.12 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 417W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm.

Інші пропозиції IPW90R120C3XKSA1 за ціною від 551.93 грн до 1519.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPW90R120C3XKSA1 IPW90R120C3XKSA1 Infineon Technologies ipw90r120c3_1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1008.80 грн
480+969.63 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3XKSA1 IPW90R120C3XKSA1 Infineon Technologies ipw90r120c3_1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1031.95 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3XKSA1 IPW90R120C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW90R120C3-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043183a955501185000e1d254f2 Description: MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.9mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1147.88 грн
30+681.01 грн
60+630.55 грн
120+551.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3XKSA1 IPW90R120C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPW90R120C3_DS_v01_00_en-1622473.pdf MOSFETs HIGH POWER_LEGACY
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1277.55 грн
10+1234.54 грн
25+764.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3XKSA1 IPW90R120C3XKSA1 Infineon Technologies ipw90r120c3_1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1510.33 грн
10+1448.89 грн
25+955.85 грн
100+912.47 грн
240+829.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3XKSA1 IPW90R120C3XKSA1 Infineon Technologies ipw90r120c3_1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1519.52 грн
11+1457.71 грн
25+961.66 грн
100+918.03 грн
240+834.44 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3XKSA1 IPW90R120C3XKSA1 INFINEON 1392455.pdf Description: INFINEON - IPW90R120C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 36 A, 0.12 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 417W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3XKSA1 ipw90r120c3_1.0.pdf
IPW90R120C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+1008.80 грн
480+969.63 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3XKSA1 ipw90r120c3_1.0.pdf
IPW90R120C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+1031.95 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3XKSA1 Infineon-IPW90R120C3-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043183a955501185000e1d254f2
IPW90R120C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.9mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1147.88 грн
30+681.01 грн
60+630.55 грн
120+551.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3XKSA1 Infineon_IPW90R120C3_DS_v01_00_en-1622473.pdf
IPW90R120C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_LEGACY
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1277.55 грн
10+1234.54 грн
25+764.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3XKSA1 ipw90r120c3_1.0.pdf
IPW90R120C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1510.33 грн
10+1448.89 грн
25+955.85 грн
100+912.47 грн
240+829.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3XKSA1 ipw90r120c3_1.0.pdf
IPW90R120C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+1519.52 грн
11+1457.71 грн
25+961.66 грн
100+918.03 грн
240+834.44 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3XKSA1 1392455.pdf
IPW90R120C3XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW90R120C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 36 A, 0.12 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 417W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.