на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 943.53 грн |
| 10+ | 925.64 грн |
| 25+ | 465.75 грн |
| 100+ | 428.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW95R060PFD7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW95R060PFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 74.7 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, Dauer-Drainstrom Id: 74.7A, hazardous: true, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 446W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPW95R060PFD7XKSA1 за ціною від 514.99 грн до 1028.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW95R060PFD7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPW95R060PFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 74.7 A, 0.04 ohm, TO-247, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V Dauer-Drainstrom Id: 74.7A hazardous: true Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 446W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPW95R060PFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 950V 74.7A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 57A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.85mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9378 pF @ 400 V |
на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPW95R060PFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 74.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |