Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW95R310PFD7XKSA1
IPW95R310PFD7XKSA1

IPW95R310PFD7XKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IPW95R310PFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181f71be5c62e65
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 17.5A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 10.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+320.98 грн
30+169.74 грн
120+138.93 грн
510+109.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW95R310PFD7XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 950V 17.5A TO247-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 10.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IPW95R310PFD7XKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPW95R310PFD7XKSA1 IPW95R310PFD7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPW95R310PFD7_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW95R310PFD7XKSA1 IPW95R310PFD7XKSA1 INFINEON 3795143.pdf Description: INFINEON - IPW95R310PFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 17.5 A, 0.24 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW95R310PFD7XKSA1 Infineon_IPW95R310PFD7_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IPW95R310PFD7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW95R310PFD7XKSA1 3795143.pdf
IPW95R310PFD7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW95R310PFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 17.5 A, 0.24 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.