IPWS65R022CFD7AXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1661.04 грн |
| 10+ | 1455.39 грн |
| 25+ | 1181.38 грн |
| 50+ | 1143.64 грн |
| 100+ | 1106.64 грн |
| 240+ | 1032.62 грн |
| 480+ | 949.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPWS65R022CFD7AXKSA1 Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 58.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 446W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-31, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPWS65R022CFD7AXKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IPWS65R022CFD7AXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 58.2A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-31 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |