IPWS65R035CFD7AXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 899.66 грн |
| 10+ | 781.80 грн |
| 25+ | 661.41 грн |
| 50+ | 625.35 грн |
| 100+ | 472.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPWS65R035CFD7AXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3-41, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 35.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 305W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPWS65R035CFD7AXKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IPWS65R035CFD7AXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 N-Channel MOSFET Transistor |
товару немає в наявності |
||
 |
IPWS65R035CFD7AXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3-41 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 35.8A, 10V Power Dissipation (Max): 305W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |