Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPZ40N04S53R1ATMA1
IPZ40N04S53R1ATMA1

IPZ40N04S53R1ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPZ40N04S5-3R1-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d660139b148a4
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPZ40N04S53R1ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPZ40N04S53R1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0025 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPZ40N04S53R1ATMA1 за ціною від 26.14 грн до 107.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPZ40N04S53R1ATMA1 IPZ40N04S53R1ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPZ40N04S5-3R1-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d660139b148a4 Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.30 грн
10+60.71 грн
100+40.40 грн
500+29.76 грн
1000+27.14 грн
2000+26.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R1ATMA1 IPZ40N04S53R1ATMA1 Infineon Technologies 226671458791251infineon-ipz40n04s5-3r1.pdffileid5546d4624cb7f111014d660139b148a4.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+107.47 грн
164+85.93 грн
192+73.52 грн
202+67.28 грн
500+58.33 грн
1000+47.06 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R1ATMA1 IPZ40N04S53R1ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPZ40N04S5_3R1_DS_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 14402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R1ATMA1 IPZ40N04S53R1ATMA1 INFINEON Infineon-IPZ40N04S5-3R1-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d660139b148a4 Description: INFINEON - IPZ40N04S53R1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0025 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R1ATMA1 Infineon-IPZ40N04S5-3R1-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d660139b148a4
IPZ40N04S53R1ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.30 грн
10+60.71 грн
100+40.40 грн
500+29.76 грн
1000+27.14 грн
2000+26.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R1ATMA1 226671458791251infineon-ipz40n04s5-3r1.pdffileid5546d4624cb7f111014d660139b148a4.pdf
IPZ40N04S53R1ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
131+107.47 грн
164+85.93 грн
192+73.52 грн
202+67.28 грн
500+58.33 грн
1000+47.06 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R1ATMA1 Infineon_IPZ40N04S5_3R1_DS_v01_01_EN.pdf
IPZ40N04S53R1ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 14402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R1ATMA1 Infineon-IPZ40N04S5-3R1-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d660139b148a4
IPZ40N04S53R1ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPZ40N04S53R1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0025 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.