Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPZ40N04S55R4ATMA1
IPZ40N04S55R4ATMA1

IPZ40N04S55R4ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPZ40N04S5-5R4-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d660122db4898 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+22.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPZ40N04S55R4ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPZ40N04S55R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0044 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPZ40N04S55R4ATMA1 за ціною від 20.28 грн до 92.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPZ40N04S55R4ATMA1 IPZ40N04S55R4ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 226674172511052infineon-ipz40n04s5-5r4.pdffileid5546d4624cb7f111014d660122db4898.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 465000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+29.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1 IPZ40N04S55R4ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPZ40N04S5_5R4_DS_v01_01_EN-1731998.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 14120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+66.71 грн
10+50.94 грн
100+30.60 грн
500+24.45 грн
1000+22.62 грн
2500+22.55 грн
5000+20.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1 IPZ40N04S55R4ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 226674172511052infineon-ipz40n04s5-5r4.pdffileid5546d4624cb7f111014d660122db4898.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
171+71.23 грн
194+62.63 грн
255+47.66 грн
267+43.91 грн
500+33.79 грн
5000+32.26 грн
Мінімальне замовлення: 171
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1 IPZ40N04S55R4ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPZ40N04S5-5R4-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d660122db4898 Description: INFINEON - IPZ40N04S55R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0044 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+83.77 грн
14+61.60 грн
100+45.75 грн
500+36.61 грн
1000+25.91 грн
5000+24.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1 IPZ40N04S55R4ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPZ40N04S5-5R4-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d660122db4898 Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.66 грн
10+56.36 грн
100+37.18 грн
500+27.17 грн
1000+24.68 грн
2000+22.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1 IPZ40N04S55R4ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 226674172511052infineon-ipz40n04s5-5r4.pdffileid5546d4624cb7f111014d660122db4898.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1 IPZ40N04S55R4ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 226674172511052infineon-ipz40n04s5-5r4.pdffileid5546d4624cb7f111014d660122db4898.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1 IPZ40N04S55R4ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 226674172511052infineon-ipz40n04s5-5r4.pdffileid5546d4624cb7f111014d660122db4898.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.