Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPZ40N04S58R4ATMA1
IPZ40N04S58R4ATMA1

IPZ40N04S58R4ATMA1 Infineon Technologies

118651776996891infineon-ipz40n04s5-8r4-ds-v01_00-en.pdffileid5546d462584d1d4a015.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
188+67.42 грн
247+51.20 грн
286+44.25 грн
287+42.56 грн
500+30.57 грн
1000+26.63 грн
5000+21.31 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPZ40N04S58R4ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 34W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 10µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 771 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPZ40N04S58R4ATMA1 за ціною від 18.37 грн до 83.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPZ40N04S58R4ATMA1 IPZ40N04S58R4ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPZ40N04S5_8R4_DS_v01_00_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 8222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+83.29 грн
10+53.45 грн
100+31.46 грн
500+25.08 грн
1000+20.84 грн
2500+20.76 грн
5000+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S58R4ATMA1 IPZ40N04S58R4ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPZ40N04S5-8R4-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158d8a817e4652a Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+83.79 грн
10+50.58 грн
100+33.22 грн
500+24.17 грн
1000+21.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S58R4ATMA1 Виробник : Infineon Infineon-IPZ40N04S5-8R4-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158d8a817e4652a
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S58R4ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPZ40N04S5-8R4-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158d8a817e4652a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Application: automotive industry
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S58R4ATMA1 IPZ40N04S58R4ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 118651776996891infineon-ipz40n04s5-8r4-ds-v01_00-en.pdffileid5546d462584d1d4a015.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S58R4ATMA1 IPZ40N04S58R4ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 118651776996891infineon-ipz40n04s5-8r4-ds-v01_00-en.pdffileid5546d462584d1d4a015.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S58R4ATMA1 IPZ40N04S58R4ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 118651776996891infineon-ipz40n04s5-8r4-ds-v01_00-en.pdffileid5546d462584d1d4a015.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S58R4ATMA1 IPZ40N04S58R4ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPZ40N04S5-8R4-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158d8a817e4652a Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.