IPZ40N04S58R4ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 188+ | 66.33 грн |
| 247+ | 50.37 грн |
| 286+ | 43.53 грн |
| 287+ | 41.87 грн |
| 500+ | 30.08 грн |
| 1000+ | 26.20 грн |
| 5000+ | 20.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPZ40N04S58R4ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 34W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 10µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 771 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPZ40N04S58R4ATMA1 за ціною від 17.86 грн до 82.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPZ40N04S58R4ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 8222 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPZ40N04S58R4ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 771 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPZ40N04S58R4ATMA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
IPZ40N04S58R4ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPZ40N04S58R4ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IPZ40N04S58R4ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPZ40N04S58R4ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 771 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |