IPZ40N04S5L-2R8 Infineon Technologies
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 135+ | 92.46 грн |
| 141+ | 88.33 грн |
| 250+ | 84.79 грн |
| 500+ | 78.81 грн |
| 1000+ | 70.59 грн |
| 2500+ | 65.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPZ40N04S5L-2R8 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8, Case: PG-TSDSON-8, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 5, Polarisation: unipolar, Gate charge: 52nC, On-state resistance: 3.8mΩ, Drain current: 40A, Gate-source voltage: ±16V, Power dissipation: 71W, Drain-source voltage: 40V, Application: automotive industry, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції IPZ40N04S5L-2R8
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPZ40N04S5L-2R8 | Виробник : Infineon Technologies |
 MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
товару немає в наявності |
|
 |
IPZ40N04S5L-2R8 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8 Case: PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Gate charge: 52nC On-state resistance: 3.8mΩ Drain current: 40A Gate-source voltage: ±16V Power dissipation: 71W Drain-source voltage: 40V Application: automotive industry Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |