
IPZ40N04S5L-2R8 Infineon Technologies
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
135+ | 90.71 грн |
141+ | 86.65 грн |
250+ | 83.18 грн |
500+ | 77.31 грн |
1000+ | 69.25 грн |
2500+ | 64.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPZ40N04S5L-2R8 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8, Case: PG-TSDSON-8, Mounting: SMD, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 40A, On-state resistance: 3.8mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Application: automotive industry, Power dissipation: 71W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 52nC, Technology: OptiMOS™ 5, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±16V, кількість в упаковці: 5000 шт.
Інші пропозиції IPZ40N04S5L-2R8
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPZ40N04S5L-2R8 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8 Case: PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A On-state resistance: 3.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 71W Polarisation: unipolar Gate charge: 52nC Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±16V кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IPZ40N04S5L-2R8 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IPZ40N04S5L-2R8 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8 Case: PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A On-state resistance: 3.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 71W Polarisation: unipolar Gate charge: 52nC Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±16V |
товару немає в наявності |