IPZ40N04S5L-2R8 Infineon Technologies
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 135+ | 94.22 грн |
| 141+ | 90.00 грн |
| 250+ | 86.40 грн |
| 500+ | 80.30 грн |
| 1000+ | 71.93 грн |
| 2500+ | 67.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPZ40N04S5L-2R8 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 40A, Power dissipation: 71W, Case: PG-TSDSON-8, Gate-source voltage: ±16V, On-state resistance: 3.8mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 52nC, Kind of channel: enhancement, Technology: OptiMOS™ 5, Application: automotive industry.
Інші пропозиції IPZ40N04S5L-2R8
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPZ40N04S5L-2R8 | Виробник : Infineon Technologies |
 MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
товару немає в наявності |
|
 |
IPZ40N04S5L-2R8 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A Power dissipation: 71W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 3.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 Application: automotive industry |
товару немає в наявності |