IPZ40N04S5L2R8ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 24.19 грн |
| 10000+ | 22.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPZ40N04S5L2R8ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPZ40N04S5L2R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 71W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm.
Інші пропозиції IPZ40N04S5L2R8ATMA1 за ціною від 26.14 грн до 111.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 359516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 13439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2097 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSONPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 15553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 7455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPZ40N04S5L2R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 2800 µohm, TSDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 71W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm |
на замовлення 3551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPZ40N04S5L2R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 2800 µohm, TSDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 71W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm |
на замовлення 3551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPZ40N04S5L2R8ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 39.56 грн |
| IPZ40N04S5L2R8ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 53.92 грн |
| IPZ40N04S5L2R8ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 359516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 609+ | 57.70 грн |
| IPZ40N04S5L2R8ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 13439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 609+ | 57.70 грн |
| IPZ40N04S5L2R8ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 220+ | 64.06 грн |
| 258+ | 54.60 грн |
| 272+ | 51.70 грн |
| 500+ | 42.36 грн |
| 1000+ | 34.70 грн |
| IPZ40N04S5L2R8ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 186+ | 75.90 грн |
| 253+ | 55.68 грн |
| 500+ | 47.38 грн |
| 1000+ | 40.13 грн |
| IPZ40N04S5L2R8ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 99.30 грн |
| 10+ | 60.71 грн |
| 100+ | 40.40 грн |
| 500+ | 29.76 грн |
| 1000+ | 27.14 грн |
| 2000+ | 26.14 грн |
| IPZ40N04S5L2R8ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 111.23 грн |
| 10+ | 75.90 грн |
| 100+ | 55.68 грн |
| 500+ | 45.69 грн |
| 1000+ | 37.15 грн |
| IPZ40N04S5L2R8ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 7455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPZ40N04S5L2R8ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPZ40N04S5L2R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
Description: INFINEON - IPZ40N04S5L2R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 3551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPZ40N04S5L2R8ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPZ40N04S5L2R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
Description: INFINEON - IPZ40N04S5L2R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 3551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





