
IPZ40N04S5L3R6ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5000+ | 31.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPZ40N04S5L3R6ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 58W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1966 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPZ40N04S5L3R6ATMA1 за ціною від 23.32 грн до 93.41 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPZ40N04S5L3R6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPZ40N04S5L3R6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1966 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IPZ40N04S5L3R6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
IPZ40N04S5L3R6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IPZ40N04S5L3R6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1966 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
IPZ40N04S5L3R6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |