Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPZ40N04S5L4R8ATMA1
IPZ40N04S5L4R8ATMA1

IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPZ40N04S5L-4R8-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d66011b3e4894
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+24.36 грн
10000+21.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPZ40N04S5L4R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 48W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TSDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPZ40N04S5L4R8ATMA1 за ціною від 20.58 грн до 99.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 IPZ40N04S5L4R8ATMA1 INFINEON 2820337.pdf Description: INFINEON - IPZ40N04S5L4R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.36 грн
500+29.17 грн
1000+22.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPZ40N04S5L_4R8_DS_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 7283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.91 грн
10+42.47 грн
25+36.79 грн
100+27.14 грн
250+27.07 грн
500+24.11 грн
1000+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 IPZ40N04S5L4R8ATMA1 INFINEON 2820337.pdf Description: INFINEON - IPZ40N04S5L4R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.31 грн
18+48.10 грн
100+35.36 грн
500+29.17 грн
1000+22.98 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPZ40N04S5L-4R8-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d66011b3e4894 Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.91 грн
10+60.40 грн
100+39.97 грн
500+29.29 грн
1000+26.65 грн
2000+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 2820337.pdf
IPZ40N04S5L4R8ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPZ40N04S5L4R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+35.36 грн
500+29.17 грн
1000+22.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon_IPZ40N04S5L_4R8_DS_v01_01_EN.pdf
IPZ40N04S5L4R8ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 7283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+62.91 грн
10+42.47 грн
25+36.79 грн
100+27.14 грн
250+27.07 грн
500+24.11 грн
1000+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 2820337.pdf
IPZ40N04S5L4R8ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPZ40N04S5L4R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+70.31 грн
18+48.10 грн
100+35.36 грн
500+29.17 грн
1000+22.98 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon-IPZ40N04S5L-4R8-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d66011b3e4894
IPZ40N04S5L4R8ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+99.91 грн
10+60.40 грн
100+39.97 грн
500+29.29 грн
1000+26.65 грн
2000+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.