IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 268+ | 52.78 грн |
| 271+ | 52.26 грн |
| 356+ | 39.73 грн |
| 360+ | 37.93 грн |
| 500+ | 33.89 грн |
| 1000+ | 27.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPZ40N04S5L4R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 48W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 48W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm.
Інші пропозиції IPZ40N04S5L4R8ATMA1 за ціною від 25.76 грн до 118.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 17µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPZ40N04S5L4R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 48W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm |
на замовлення 2145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPZ40N04S5L4R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 48W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 48W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm |
на замовлення 2145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 62.93 грн |
| 15+ | 52.78 грн |
| 25+ | 52.26 грн |
| 100+ | 38.31 грн |
| 250+ | 35.12 грн |
| 500+ | 32.54 грн |
| 1000+ | 27.25 грн |
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 105.39 грн |
| 10+ | 63.73 грн |
| 100+ | 42.18 грн |
| 500+ | 30.91 грн |
| 1000+ | 28.11 грн |
| 2000+ | 25.76 грн |
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 118.32 грн |
| 10+ | 81.69 грн |
| 100+ | 56.64 грн |
| 500+ | 43.21 грн |
| 1000+ | 36.47 грн |
| 2000+ | 30.60 грн |
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 120+ | 118.32 грн |
| 174+ | 81.69 грн |
| 250+ | 56.64 грн |
| 500+ | 43.21 грн |
| 1000+ | 36.47 грн |
| 2000+ | 30.60 грн |
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPZ40N04S5L4R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
Description: INFINEON - IPZ40N04S5L4R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPZ40N04S5L4R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
Description: INFINEON - IPZ40N04S5L4R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)