Технічний опис IPZ40N04S5L7R4ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6100 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 34W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm.
Інші пропозиції IPZ40N04S5L7R4ATMA1 за ціною від 21.94 грн до 87.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 9902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 604939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 112833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 21416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSONPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6100 µohm, TSDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 34W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm |
на замовлення 9024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 12241 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6100 µohm, TSDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 34W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm |
на замовлення 9024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPZ40N04S5L7R4ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 21.94 грн |
| IPZ40N04S5L7R4ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 574+ | 24.49 грн |
| 609+ | 23.08 грн |
| IPZ40N04S5L7R4ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 25.99 грн |
| 31+ | 24.49 грн |
| 100+ | 22.25 грн |
| IPZ40N04S5L7R4ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 391+ | 35.97 грн |
| 408+ | 34.47 грн |
| 500+ | 31.28 грн |
| 1000+ | 26.01 грн |
| 5000+ | 22.91 грн |
| IPZ40N04S5L7R4ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 604939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 923+ | 38.08 грн |
| IPZ40N04S5L7R4ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 112833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 923+ | 38.08 грн |
| IPZ40N04S5L7R4ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 21416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 923+ | 38.08 грн |
| IPZ40N04S5L7R4ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 87.75 грн |
| 10+ | 53.15 грн |
| 100+ | 35.00 грн |
| IPZ40N04S5L7R4ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6100 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 34W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
Description: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6100 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 34W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
на замовлення 9024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPZ40N04S5L7R4ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 12241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPZ40N04S5L7R4ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6100 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 34W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
Description: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6100 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 34W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
на замовлення 9024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






