Інші пропозиції IPZ60R017C7XKSA1 за ціною від 668.17 грн до 1348.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPZ60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies |
 MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 147 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
IPZ60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 109A TO247-4 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-4 Packaging: Tube |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IPZ60R017C7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1078.85 грн |
| 25+ | 784.61 грн |
| 240+ | 668.17 грн |
| IPZ60R017C7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 109A TO247-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 600V 109A TO247-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1348.77 грн |
| 30+ | 837.58 грн |