IPZ60R017C7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 663.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPZ60R017C7XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 109A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 446W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPZ60R017C7XKSA1 за ціною від 714.08 грн до 1651.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPZ60R017C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPZ60R017C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPZ60R017C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 109A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPZ60R017C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPZ60R017C7XKSA1 Код товару: 154853
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
|
|
IPZ60R017C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IPZ60R017C7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 69A; 446W; PG-TO247-4 Mounting: THT Drain-source voltage: 600V Drain current: 69A On-state resistance: 17mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 446W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 240nC Technology: CoolMOS™ C7 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO247-4 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IPZ60R017C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPZ60R017C7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 69A; 446W; PG-TO247-4 Mounting: THT Drain-source voltage: 600V Drain current: 69A On-state resistance: 17mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 446W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 240nC Technology: CoolMOS™ C7 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO247-4 |
товару немає в наявності |