IPZ60R017C7XKSA1

IPZ60R017C7XKSA1 Infineon Technologies


Infineon_IPZ60R017C7_DS_v02_00_EN-1732057.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 219 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1460.62 грн
10+ 1380.78 грн
25+ 1070.16 грн
50+ 1064.16 грн
100+ 1022.21 грн
240+ 1012.89 грн
480+ 919.66 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPZ60R017C7XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 109A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 446W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPZ60R017C7XKSA1 за ціною від 1107.76 грн до 1724.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPZ60R017C7XKSA1 IPZ60R017C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPZ60R017C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cc275c6b7da2 Description: MOSFET N-CH 600V 109A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1480.35 грн
30+ 1181.62 грн
120+ 1107.76 грн
IPZ60R017C7XKSA1 IPZ60R017C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 289infineon-ipz60r017c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253a864fe0153cc.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1601.15 грн
10+ 1519.5 грн
100+ 1371.38 грн
IPZ60R017C7XKSA1 IPZ60R017C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 289infineon-ipz60r017c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253a864fe0153cc.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+1676.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPZ60R017C7XKSA1 IPZ60R017C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 289infineon-ipz60r017c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253a864fe0153cc.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+1724.31 грн
10+ 1636.39 грн
100+ 1476.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPZ60R017C7XKSA1
Код товару: 154853
Infineon-IPZ60R017C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cc275c6b7da2 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPZ60R017C7XKSA1 IPZ60R017C7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPZ60R017C7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 69A; 446W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 69A
Power dissipation: 446W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPZ60R017C7XKSA1 IPZ60R017C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 289infineon-ipz60r017c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253a864fe0153cc.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IPZ60R017C7XKSA1 IPZ60R017C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 289infineon-ipz60r017c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253a864fe0153cc.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IPZ60R017C7XKSA1 IPZ60R017C7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPZ60R017C7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 69A; 446W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 69A
Power dissipation: 446W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товар відсутній