IPZ60R040C7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 461.71 грн |
| 30+ | 456.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPZ60R040C7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPZ60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPZ60R040C7XKSA1 за ціною від 400.69 грн до 1278.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPZ60R040C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPZ60R040C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPZ60R040C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPZ60R040C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs Y |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPZ60R040C7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPZ60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPZ60R040C7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 227W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: CoolMOS™ C7 |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPZ60R040C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V |
на замовлення 698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPZ60R040C7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 227W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: CoolMOS™ C7 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPZ60R040C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPZ60R040C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |