IPZ65R019C7XKSA1

IPZ65R019C7XKSA1 Infineon Technologies


Infineon-IPZ65R019C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e5a5024013e78cb788341cb Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V
на замовлення 729 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1461.29 грн
30+ 1166.66 грн
120+ 1093.75 грн
510+ 875.9 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPZ65R019C7XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 446W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPZ65R019C7XKSA1 за ціною від 1136.51 грн до 1855.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPZ65R019C7XKSA1 IPZ65R019C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPZ65R019C7_DS_v02_00_en-3165832.pdf MOSFET N-Ch 700V 75A TO247-4
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1855.37 грн
10+ 1652.88 грн
25+ 1384.52 грн
50+ 1362.09 грн
100+ 1243.36 грн
240+ 1197.19 грн
480+ 1136.51 грн
IPZ65R019C7XKSA1
Код товару: 117276
Infineon-IPZ65R019C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e5a5024013e78cb788341cb Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPZ65R019C7XKSA1 IPZ65R019C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipz65r019c7_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IPZ65R019C7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPZ65R019C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 75A; 446W; PG-TO247-4
Case: PG-TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ C7
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 75A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPZ65R019C7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPZ65R019C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 75A; 446W; PG-TO247-4
Case: PG-TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ C7
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 75A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
товар відсутній