Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPZ65R019C7XKSA1

IPZ65R019C7XKSA1

Infineon-IPZ65R019C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e5a5024013e78cb788341cb
Код товару: 117276
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPZ65R019C7XKSA1 за ціною від 719.47 грн до 1524.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPZ65R019C7XKSA1 IPZ65R019C7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPZ65R019C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e5a5024013e78cb788341cb Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1127.67 грн
30+719.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7XKSA1 IPZ65R019C7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPZ65R019C7_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs N-Ch 700V 75A TO247-4
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1164.61 грн
10+790.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7XKSA1 IPZ65R019C7XKSA1 INFINEON Infineon-IPZ65R019C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e5a5024013e78cb788341cb Description: INFINEON - IPZ65R019C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 446W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1524.62 грн
5+1369.98 грн
10+1214.54 грн
50+937.08 грн
100+805.63 грн
250+795.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7XKSA1 Infineon-IPZ65R019C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e5a5024013e78cb788341cb
IPZ65R019C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1127.67 грн
30+719.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7XKSA1 Infineon_IPZ65R019C7_DS_v02_00_en.pdf
IPZ65R019C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 700V 75A TO247-4
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1164.61 грн
10+790.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7XKSA1 Infineon-IPZ65R019C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e5a5024013e78cb788341cb
IPZ65R019C7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPZ65R019C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 446W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1524.62 грн
5+1369.98 грн
10+1214.54 грн
50+937.08 грн
100+805.63 грн
250+795.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.