Продукція > INFINEON > IPZA60R016CM8XKSA1
IPZA60R016CM8XKSA1

IPZA60R016CM8XKSA1 INFINEON

4379506.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPZA60R016CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 123 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 521W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+966.99 грн
5+920.34 грн
10+873.68 грн
50+810.49 грн
100+747.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPZA60R016CM8XKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPZA60R016CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 123 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 123A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 521W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CM8 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPZA60R016CM8XKSA1 за ціною від 660.11 грн до 1130.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPZA60R016CM8XKSA1 IPZA60R016CM8XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPZA60R016CM8_DataSheet_v02_01_EN-3445921.pdf MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1005.67 грн
10+894.78 грн
100+777.31 грн
240+660.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R016CM8XKSA1 IPZA60R016CM8XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Description: IPZA60R016CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 62.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 521W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7545 pF @ 400 V
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1055.14 грн
10+894.92 грн
240+749.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R016CM8XKSA1 IPZA60R016CM8XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipza60r016cm8-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 123A Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+1055.43 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R016CM8XKSA1 IPZA60R016CM8XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipza60r016cm8-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 123A Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1130.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R016CM8XKSA1 IPZA60R016CM8XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipza60r016cm8-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 123A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.