на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1506.54 грн |
| 10+ | 1364.40 грн |
| 100+ | 1002.50 грн |
| 480+ | 874.05 грн |
| 1200+ | 867.21 грн |
| 2640+ | 852.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPZA60R024P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 101A TO247-4-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42A, 10V, Power Dissipation (Max): 291W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.03mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7144 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPZA60R024P7XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPZA60R024P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 101A Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
IPZA60R024P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 101A Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
IPZA60R024P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 101A TO247-4-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 291W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.03mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7144 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |