IPZA60R060P7XKSA1 Infineon Technologies


Infineon-IPZA60R060P7-DS-v02_01-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 386 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+483.51 грн
10+437.70 грн
25+187.48 грн
240+186.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPZA60R060P7XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 164W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA, Supplier Device Package: PG-TO247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPZA60R060P7XKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPZA60R060P7XKSA1 IPZA60R060P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPZA60R060P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160316b71ad645f Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1 Infineon-IPZA60R060P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160316b71ad645f
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.