Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPZA60R080P7XKSA1
IPZA60R080P7XKSA1

IPZA60R080P7XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipza60r080p7-ds-v02_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
53+267.31 грн
55+257.94 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPZA60R080P7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPZA60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 129W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm.

Інші пропозиції IPZA60R080P7XKSA1 за ціною від 185.61 грн до 321.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPZA60R080P7XKSA1 IPZA60R080P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipza60r080p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+267.96 грн
10+267.31 грн
25+257.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R080P7XKSA1 IPZA60R080P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipza60r080p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+321.75 грн
30+194.25 грн
120+185.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R080P7XKSA1 IPZA60R080P7XKSA1 INFINEON 2609447.pdf Description: INFINEON - IPZA60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 129W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R080P7XKSA1 IPZA60R080P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPZA60R080P7_DS_v02_01_EN-3362673.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R080P7XKSA1 infineon-ipza60r080p7-ds-v02_01-en.pdf
IPZA60R080P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+267.96 грн
10+267.31 грн
25+257.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R080P7XKSA1 infineon-ipza60r080p7-ds-en.pdf
IPZA60R080P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+321.75 грн
30+194.25 грн
120+185.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R080P7XKSA1 2609447.pdf
IPZA60R080P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPZA60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 129W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R080P7XKSA1 Infineon_IPZA60R080P7_DS_v02_01_EN-3362673.pdf
IPZA60R080P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.