IPZA60R080P7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 215.57 грн |
| 10+ | 215.04 грн |
| 25+ | 207.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPZA60R080P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPZA60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 129W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPZA60R080P7XKSA1 за ціною від 201.09 грн до 470.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPZA60R080P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPZA60R080P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V Power Dissipation (Max): 129W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V |
на замовлення 203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPZA60R080P7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPZA60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 129W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPZA60R080P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 213 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPZA60R080P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPZA60R080P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IPZA60R080P7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23A Power dissipation: 129W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 51nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPZA60R080P7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23A Power dissipation: 129W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 51nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товару немає в наявності |