IPZA60R099CM8XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IPZA60R099CM8XKSA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 190.82 грн |
| 60+ | 166.45 грн |
| 90+ | 157.64 грн |
| 150+ | 138.63 грн |
| 210+ | 133.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPZA60R099CM8XKSA1 Infineon Technologies
Description: IPZA60R099CM8XKSA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 176W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 260µA, Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPZA60R099CM8XKSA1 за ціною від 115.74 грн до 358.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPZA60R099CM8XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IPZA60R099CM8XKSA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.1A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 260µA Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPZA60R099CM8XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|