IPZA60R099CM8XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPZA60R099CM8XKSA1
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 260µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 188.93 грн |
| 60+ | 164.81 грн |
| 90+ | 156.08 грн |
| 150+ | 137.26 грн |
| 210+ | 131.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPZA60R099CM8XKSA1 Infineon Technologies
Description: IPZA60R099CM8XKSA1, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 260µA, Power Dissipation (Max): 176W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.1A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide).
Інші пропозиції IPZA60R099CM8XKSA1 за ціною від 121.50 грн до 364.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPZA60R099CM8XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IPZA60R099CM8XKSA1 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-4 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 260µA Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) FET Type: N-Channel |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPZA60R099CM8XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor |
на замовлення 176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IPZA60R099CM8XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPZA60R099CM8XKSA1
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 260µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Description: IPZA60R099CM8XKSA1
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 260µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 337.84 грн |
| 10+ | 215.91 грн |
| IPZA60R099CM8XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 364.04 грн |
| 10+ | 172.27 грн |
| 100+ | 129.09 грн |
| 480+ | 128.40 грн |
| 1200+ | 127.02 грн |
| 2640+ | 121.50 грн |