Продукція > INFINEON > IPZA60R099P7XKSA1
IPZA60R099P7XKSA1

IPZA60R099P7XKSA1 INFINEON

2609449.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPZA60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 31
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 117
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 117
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+321.86 грн
10+290.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPZA60R099P7XKSA1 INFINEON

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 117W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA, Supplier Device Package: PG-TO247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPZA60R099P7XKSA1 за ціною від 154.18 грн до 482.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPZA60R099P7XKSA1 IPZA60R099P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPZA60R099P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801604532868c1948 Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+324.69 грн
30+165.27 грн
120+154.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099P7XKSA1 IPZA60R099P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPZA60R099P7_DS_v02_01_EN-3362753.pdf MOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 240 шт:
термін постачання 140-149 дні (днів)
Кількість Ціна
1+482.36 грн
10+399.33 грн
25+330.32 грн
100+292.07 грн
240+264.85 грн
480+249.40 грн
1200+200.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099P7XKSA1 IPZA60R099P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipza60r099p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099P7XKSA1 IPZA60R099P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipza60r099p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099P7XKSA1 IPZA60R099P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipza60r099p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099P7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPZA60R099P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801604532868c1948 IPZA60R099P7 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.