IPZA60R120P7XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPZA60R120P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 95W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA, Supplier Device Package: PG-TO247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPZA60R120P7XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPZA60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IPZA60R120P7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPZA60R120P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 26 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 95 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 Verlustleistung: 95 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: CoolMOS P7 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPZA60R120P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPZA60R120P7XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPZA60R120P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 26
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 95
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 95
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IPZA60R120P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 26
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 95
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 95
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)