Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPZA60R180P7XKSA1
IPZA60R180P7XKSA1

IPZA60R180P7XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipza60r180p7-ds-v02_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+97.22 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPZA60R180P7XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 72W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA, Supplier Device Package: PG-TO247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPZA60R180P7XKSA1 за ціною від 123.47 грн до 123.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPZA60R180P7XKSA1 IPZA60R180P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipza60r180p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+123.47 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1 IPZA60R180P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPZA60R180P7_DS_v02_01_EN-3362762.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1 IPZA60R180P7XKSA1 INFINEON 2609452.pdf Description: INFINEON - IPZA60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 72
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 72
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.145
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1 IPZA60R180P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipza60r180p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1 infineon-ipza60r180p7-ds-en.pdf
IPZA60R180P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
161+123.47 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1 Infineon_IPZA60R180P7_DS_v02_01_EN-3362762.pdf
IPZA60R180P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1 2609452.pdf
IPZA60R180P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPZA60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 72
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 72
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.145
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1 infineon-ipza60r180p7-ds-v02_01-en.pdf
IPZA60R180P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.