IPZA65R018CFD7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 240+ | 1235.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPZA65R018CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPZA65R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 106 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 106A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 446W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPZA65R018CFD7XKSA1 за ціною від 823.96 грн до 1695.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPZA65R018CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPZA65R018CFD7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPZA65R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 106 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 106A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 446W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IPZA65R018CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005413354 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
IPZA65R018CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 106A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IPZA65R018CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11660 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |