IPZA65R029CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: 650V FET COOLMOS TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 926.76 грн |
| 30+ | 543.09 грн |
| 120+ | 469.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPZA65R029CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPZA65R029CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650, Dauer-Drainstrom Id: 69, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 305, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, Verlustleistung: 305, Bauform - Transistor: TO-247, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: CoolMOS CFD7, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IPZA65R029CFD7XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPZA65R029CFD7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 211 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPZA65R029CFD7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)