Продукція > INFINEON > IQD005N04NM6ATMA1
IQD005N04NM6ATMA1

IQD005N04NM6ATMA1 INFINEON


Infineon-IQD005N04NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a45c39aa3034d Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD005N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 470 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+167.53 грн
500+147.14 грн
1000+128.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQD005N04NM6ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IQD005N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 470 µohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 610A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IQD005N04NM6ATMA1 за ціною від 104.35 грн до 340.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IQD005N04NM6ATMA1 IQD005N04NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQD005N04NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a45c39aa3034d Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 4889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+321.51 грн
10+203.92 грн
100+144.06 грн
500+111.23 грн
1000+104.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6ATMA1 IQD005N04NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IQD005N04NM6_DataSheet_v02_00_EN-3367098.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+337.31 грн
10+238.58 грн
25+195.69 грн
100+155.96 грн
250+153.02 грн
500+129.48 грн
1000+123.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6ATMA1 IQD005N04NM6ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IQD005N04NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a45c39aa3034d Description: INFINEON - IQD005N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 470 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+340.02 грн
10+231.90 грн
100+167.53 грн
500+147.14 грн
1000+128.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqd005n04nm6-datasheet-v02_00-en.pdf N-channel Power MOSFET
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+211.86 грн
10+174.63 грн
25+168.51 грн
100+132.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqd005n04nm6-datasheet-v02_00-en.pdf N-channel Power MOSFET
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
54+228.16 грн
65+188.06 грн
68+181.47 грн
100+142.36 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6ATMA1
Код товару: 198771
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IQD005N04NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a45c39aa3034d Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqd005n04nm6-datasheet-v02_00-en.pdf N-channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqd005n04nm6-datasheet-v02_00-en.pdf TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6ATMA1 IQD005N04NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQD005N04NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a45c39aa3034d Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.