Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IQD005N04NM6ATMA1

IQD005N04NM6ATMA1

Infineon-IQD005N04NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a45c39aa3034d
Код товару: 198771
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IQD005N04NM6ATMA1 за ціною від 111.45 грн до 289.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IQD005N04NM6ATMA1 IQD005N04NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQD005N04NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a45c39aa3034d Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+289.42 грн
10+183.45 грн
100+129.61 грн
500+111.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6ATMA1 IQD005N04NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IQD005N04NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a45c39aa3034d Description: INFINEON - IQD005N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 470 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6ATMA1 IQD005N04NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IQD005N04NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a45c39aa3034d Description: INFINEON - IQD005N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 470 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-iqd005n04nm6-datasheet-v02_00-en.pdf N-channel Power MOSFET
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+262.72 грн
10+216.54 грн
25+208.96 грн
100+163.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-iqd005n04nm6-datasheet-v02_00-en.pdf N-channel Power MOSFET
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+262.72 грн
65+216.54 грн
68+208.96 грн
100+163.92 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6ATMA1 Infineon-IQD005N04NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a45c39aa3034d
IQD005N04NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+289.42 грн
10+183.45 грн
100+129.61 грн
500+111.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6ATMA1 Infineon-IQD005N04NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a45c39aa3034d
IQD005N04NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD005N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 470 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6ATMA1 Infineon-IQD005N04NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a45c39aa3034d
IQD005N04NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD005N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 470 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6ATMA1 infineon-iqd005n04nm6-datasheet-v02_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-channel Power MOSFET
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+262.72 грн
10+216.54 грн
25+208.96 грн
100+163.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6ATMA1 infineon-iqd005n04nm6-datasheet-v02_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-channel Power MOSFET
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
54+262.72 грн
65+216.54 грн
68+208.96 грн
100+163.92 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.