Продукція > INFINEON > IQD005N04NM6CGATMA1

IQD005N04NM6CGATMA1 INFINEON


3983236.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 420 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
на замовлення 4930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+191.60 грн
500+159.58 грн
1000+140.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQD005N04NM6CGATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 420 µohm, TTFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 610A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 333W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TTFN, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm.

Інші пропозиції IQD005N04NM6CGATMA1 за ціною від 115.59 грн до 379.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IQD005N04NM6CGATMA1 IQD005N04NM6CGATMA1 INFINEON 3983236.pdf Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 420 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+356.05 грн
10+236.82 грн
100+191.60 грн
500+159.58 грн
1000+140.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGATMA1 IQD005N04NM6CGATMA1 Infineon Technologies Infineon_IQD005N04NM6CG_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+379.90 грн
10+245.60 грн
100+158.59 грн
500+133.21 грн
1000+123.34 грн
2500+115.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGATMA1 IQD005N04NM6CGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQD005N04NM6CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188af8c9f7b0533 Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGATMA1 3983236.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 420 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+356.05 грн
10+236.82 грн
100+191.60 грн
500+159.58 грн
1000+140.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGATMA1 Infineon_IQD005N04NM6CG_DataSheet_v02_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+379.90 грн
10+245.60 грн
100+158.59 грн
500+133.21 грн
1000+123.34 грн
2500+115.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGATMA1 Infineon-IQD005N04NM6CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188af8c9f7b0533
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.