Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IQD005N04NM6SCATMA1
IQD005N04NM6SCATMA1

IQD005N04NM6SCATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IQD005N04NM6SC-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac8019169effe56544b Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 597A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+123.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQD005N04NM6SCATMA1 Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 597A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA, Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V.

Інші пропозиції IQD005N04NM6SCATMA1 за ціною від 117.66 грн до 346.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IQD005N04NM6SCATMA1 IQD005N04NM6SCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IQD005N04NM6SC_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+309.10 грн
10+234.73 грн
100+164.89 грн
500+147.28 грн
1000+125.67 грн
2500+120.86 грн
5000+117.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6SCATMA1 IQD005N04NM6SCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQD005N04NM6SC-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac8019169effe56544b Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 597A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+346.34 грн
10+220.28 грн
100+156.21 грн
500+136.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.