Продукція > INFINEON > IQD005N04NM6SCATMA1
IQD005N04NM6SCATMA1

IQD005N04NM6SCATMA1 INFINEON

Infineon-IQD005N04NM6SC-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac8019169effe56544b
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD005N04NM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 597 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 597A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+173.95 грн
500+140.39 грн
1000+126.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQD005N04NM6SCATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IQD005N04NM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 597 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 597A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 333W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WHSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm.

Інші пропозиції IQD005N04NM6SCATMA1 за ціною від 123.00 грн до 370.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IQD005N04NM6SCATMA1 IQD005N04NM6SCATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQD005N04NM6SC-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac8019169effe56544b Description: MOSFET N-CH 40V 8POWERWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 597A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 4822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+343.31 грн
10+218.59 грн
100+154.99 грн
500+123.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6SCATMA1 IQD005N04NM6SCATMA1 INFINEON Infineon-IQD005N04NM6SC-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac8019169effe56544b Description: INFINEON - IQD005N04NM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 597 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 597A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+370.66 грн
10+245.48 грн
100+173.95 грн
500+140.39 грн
1000+126.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6SCATMA1 IQD005N04NM6SCATMA1 Infineon Technologies Infineon_IQD005N04NM6SC_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6SCATMA1 Infineon-IQD005N04NM6SC-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac8019169effe56544b
IQD005N04NM6SCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 8POWERWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 597A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 4822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+343.31 грн
10+218.59 грн
100+154.99 грн
500+123.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6SCATMA1 Infineon-IQD005N04NM6SC-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac8019169effe56544b
IQD005N04NM6SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD005N04NM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 597 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 597A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+370.66 грн
10+245.48 грн
100+173.95 грн
500+140.39 грн
1000+126.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6SCATMA1 Infineon_IQD005N04NM6SC_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IQD005N04NM6SCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.