IQD009N06NM5ATMA1 Infineon Technologies

---

Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4584 шт:

---

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	325.38 грн
10+	269.41 грн
25+	221.02 грн
100+	189.65 грн
250+	179.19 грн
500+	168.73 грн
1000+	144.33 грн

купити

В кошику  од. на суму  грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IQD009N06NM5ATMA1 Infineon Technologies

Інші пропозиції IQD009N06NM5ATMA1 за ціною від 138.29 грн до 334.56 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна
	IQD009N06NM5ATMA1	Виробник : Infineon Technologies	N-channel Power MOSFET	на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна 42+ 312.25 грн 48+ 274.48 грн 50+ 260.28 грн 100+ 221.86 грн 250+ 174.01 грн Мінімальне замовлення: 42 купити В кошику  од. на суму  грн.
	IQD009N06NM5ATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V	на замовлення 4988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна 1+ 314.54 грн 10+ 254.10 грн 100+ 205.62 грн 500+ 171.52 грн 1000+ 146.86 грн 2000+ 138.29 грн купити В кошику  од. на суму  грн.
	IQD009N06NM5ATMA1	Виробник : Infineon Technologies	N-channel Power MOSFET	на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна 3+ 334.56 грн 10+ 294.09 грн 25+ 278.87 грн 100+ 237.71 грн 250+ 186.44 грн Мінімальне замовлення: 3 купити В кошику  од. на суму  грн.
	IQD009N06NM5ATMA1	Виробник : Infineon Technologies	N-channel Power MOSFET	товару немає в наявності	купити В кошику  од. на суму  грн.
	IQD009N06NM5ATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V	товару немає в наявності	купити В кошику  од. на суму  грн.