Продукція > INFINEON > IQD009N06NM5ATMA1
IQD009N06NM5ATMA1

IQD009N06NM5ATMA1 INFINEON

4015298.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD009N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 900 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
на замовлення 4795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+175.57 грн
500+143.41 грн
1000+130.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQD009N06NM5ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IQD009N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 900 µohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 445A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, Verlustleistung: 333W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm.

Інші пропозиції IQD009N06NM5ATMA1 за ціною від 130.29 грн до 368.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IQD009N06NM5ATMA1 IQD009N06NM5ATMA1 Infineon Technologies infineon-iqd009n06nm5-datasheet-v02_00-en.pdf N-channel Power MOSFET
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+314.83 грн
10+257.22 грн
25+200.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5ATMA1 IQD009N06NM5ATMA1 Infineon Technologies infineon-iqd009n06nm5-datasheet-v02_00-en.pdf N-channel Power MOSFET
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+314.83 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5ATMA1 IQD009N06NM5ATMA1 INFINEON 4015298.pdf Description: INFINEON - IQD009N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 900 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
на замовлення 4795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+368.22 грн
10+245.48 грн
100+175.57 грн
500+143.41 грн
1000+130.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5ATMA1 IQD009N06NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IQD009N06NM5_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 4145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQD009N06NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a4659dc640465 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
на замовлення 4988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+314.31 грн
10+253.91 грн
100+205.47 грн
500+171.39 грн
1000+146.76 грн
2000+138.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5ATMA1 infineon-iqd009n06nm5-datasheet-v02_00-en.pdf
IQD009N06NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
N-channel Power MOSFET
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+314.83 грн
10+257.22 грн
25+200.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5ATMA1 infineon-iqd009n06nm5-datasheet-v02_00-en.pdf
IQD009N06NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
N-channel Power MOSFET
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+314.83 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5ATMA1 4015298.pdf
IQD009N06NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD009N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 900 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
на замовлення 4795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+368.22 грн
10+245.48 грн
100+175.57 грн
500+143.41 грн
1000+130.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5ATMA1 Infineon_IQD009N06NM5_DataSheet_v02_00_EN.pdf
IQD009N06NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 4145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5ATMA1 Infineon-IQD009N06NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a4659dc640465
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
на замовлення 4988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+314.31 грн
10+253.91 грн
100+205.47 грн
500+171.39 грн
1000+146.76 грн
2000+138.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.