IQD009N06NM5CGATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
FET Type: N-Channel
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 275.15 грн |
| 10+ | 200.51 грн |
| 25+ | 184.29 грн |
| 100+ | 156.27 грн |
| 250+ | 148.31 грн |
| 500+ | 143.52 грн |
| 1000+ | 137.29 грн |
| 2500+ | 136.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IQD009N06NM5CGATMA1 Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 9-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції IQD009N06NM5CGATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IQD009N06NM5CGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin TTFN EP T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
IQD009N06NM5CGATMA1 | Infineon Technologies |
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 9-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
IQD009N06NM5CGATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 60V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IQD009N06NM5CGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin TTFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin TTFN EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IQD009N06NM5CGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IQD009N06NM5CGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
MOSFETs IFX FET 60V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.