Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IQD009N06NM5SCATMA1
IQD009N06NM5SCATMA1

IQD009N06NM5SCATMA1 Infineon Technologies

infineoniqd009n06nm5scdatasheetv0201en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin WHSON EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
96+147.47 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQD009N06NM5SCATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IQD009N06NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 900 µohm, WHSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 445A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, Verlustleistung: 333W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WHSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm.

Інші пропозиції IQD009N06NM5SCATMA1 за ціною від 138.67 грн до 554.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IQD009N06NM5SCATMA1 IQD009N06NM5SCATMA1 Infineon Technologies infineoniqd009n06nm5scdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin WHSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+330.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5SCATMA1 IQD009N06NM5SCATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQD009N06NM5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b653e47149d2 Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
на замовлення 4569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+365.76 грн
10+233.79 грн
100+166.62 грн
500+138.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5SCATMA1 IQD009N06NM5SCATMA1 Infineon Technologies infineoniqd009n06nm5scdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin WHSON EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+554.26 грн
10+370.76 грн
100+265.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5SCATMA1 IQD009N06NM5SCATMA1 Infineon Technologies Infineon_09-04-2024_DS_IQD009N06NM5SC_2_0.pdf MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 7753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5SCATMA1 IQD009N06NM5SCATMA1 INFINEON 4409635.pdf Description: INFINEON - IQD009N06NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 900 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
на замовлення 4685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5SCATMA1 IQD009N06NM5SCATMA1 INFINEON 4409635.pdf Description: INFINEON - IQD009N06NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 900 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
на замовлення 4685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5SCATMA1 infineoniqd009n06nm5scdatasheetv0201en.pdf
IQD009N06NM5SCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin WHSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+330.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5SCATMA1 Infineon-IQD009N06NM5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b653e47149d2
IQD009N06NM5SCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
на замовлення 4569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+365.76 грн
10+233.79 грн
100+166.62 грн
500+138.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5SCATMA1 infineoniqd009n06nm5scdatasheetv0201en.pdf
IQD009N06NM5SCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin WHSON EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+554.26 грн
10+370.76 грн
100+265.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5SCATMA1 Infineon_09-04-2024_DS_IQD009N06NM5SC_2_0.pdf
IQD009N06NM5SCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 7753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5SCATMA1 4409635.pdf
IQD009N06NM5SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD009N06NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 900 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
на замовлення 4685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5SCATMA1 4409635.pdf
IQD009N06NM5SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD009N06NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 900 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
на замовлення 4685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.