IQD016N08NM5ATMA1

IQD016N08NM5ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IQD016N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a4562cd2a01fe Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
на замовлення 4528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.68 грн
10+208.74 грн
100+175.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQD016N08NM5ATMA1 Infineon Technologies

Description: TRENCH 40.

Інші пропозиції IQD016N08NM5ATMA1 за ціною від 152.06 грн до 399.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IQD016N08NM5ATMA1 IQD016N08NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IQD016N08NM5_DataSheet_v02_00_EN-3367042.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+399.61 грн
10+270.10 грн
100+170.88 грн
500+152.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqd016n08nm5-datasheet-v02_00-en.pdf N-channel Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+306.33 грн
46+269.72 грн
48+255.98 грн
100+217.74 грн
250+171.10 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqd016n08nm5-datasheet-v02_00-en.pdf N-channel Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+328.21 грн
10+288.99 грн
25+274.26 грн
100+233.29 грн
250+183.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqd016n08nm5-datasheet-v02_00-en.pdf N-channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqd016n08nm5-datasheet-v02_00-en.pdf N-channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1 IQD016N08NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQD016N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a4562cd2a01fe Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.