Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IQD016N08NM5ATMA1
IQD016N08NM5ATMA1

IQD016N08NM5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IQD016N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a4562cd2a01fe
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
на замовлення 2933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+427.15 грн
10+275.22 грн
100+198.04 грн
500+170.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQD016N08NM5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IQD016N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 323A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 333W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm.

Інші пропозиції IQD016N08NM5ATMA1 за ціною від 228.36 грн до 336.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IQD016N08NM5ATMA1 IQD016N08NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQD016N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 4505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1 IQD016N08NM5ATMA1 INFINEON 4015299.pdf Description: INFINEON - IQD016N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1 IQD016N08NM5ATMA1 INFINEON 4015299.pdf Description: INFINEON - IQD016N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1 Infineon Technologies infineon-iqd016n08nm5-datasheet-v02_00-en.pdf N-channel Power MOSFET
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+248.91 грн
10+244.85 грн
25+240.79 грн
100+228.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1 Infineon Technologies infineon-iqd016n08nm5-datasheet-v02_00-en.pdf N-channel Power MOSFET
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+248.91 грн
58+244.85 грн
59+240.79 грн
100+228.36 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1 Infineon Technologies infineon-iqd016n08nm5-datasheet-v02_00-en.pdf N-channel Power MOSFET
на замовлення 6655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+268.14 грн
500+253.97 грн
1000+239.79 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1 Infineon Technologies infineon-iqd016n08nm5-datasheet-v02_00-en.pdf N-channel Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+336.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1 Infineon-IQD016N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf
IQD016N08NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 4505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1 4015299.pdf
IQD016N08NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD016N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1 4015299.pdf
IQD016N08NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD016N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1 infineon-iqd016n08nm5-datasheet-v02_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-channel Power MOSFET
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+248.91 грн
10+244.85 грн
25+240.79 грн
100+228.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1 infineon-iqd016n08nm5-datasheet-v02_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-channel Power MOSFET
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
57+248.91 грн
58+244.85 грн
59+240.79 грн
100+228.36 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1 infineon-iqd016n08nm5-datasheet-v02_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-channel Power MOSFET
на замовлення 6655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
133+268.14 грн
500+253.97 грн
1000+239.79 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1 infineon-iqd016n08nm5-datasheet-v02_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-channel Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+336.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.