IQD016N08NM5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
на замовлення 4528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 281.03 грн |
| 10+ | 211.26 грн |
| 100+ | 177.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IQD016N08NM5ATMA1 Infineon Technologies
Description: TRENCH 40.
Інші пропозиції IQD016N08NM5ATMA1 за ціною від 153.90 грн до 404.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IQD016N08NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IQD016N08NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-channel Power MOSFET |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IQD016N08NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-channel Power MOSFET |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IQD016N08NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-channel Power MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| IQD016N08NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-channel Power MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
IQD016N08NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100VPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |
