IQD016N08NM5ATMA1 Infineon Technologies

---

Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V

на замовлення 4528 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	278.35 грн
10+	209.25 грн
100+	175.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

купити

В кошику  од. на суму  грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IQD016N08NM5ATMA1 Infineon Technologies

Інші пропозиції IQD016N08NM5ATMA1 за ціною від 152.43 грн до 400.57 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна
	IQD016N08NM5ATMA1	Виробник : Infineon Technologies	MOSFETs TRENCH 40<-<100V	на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	Кількість Ціна 1+ 400.57 грн 10+ 270.75 грн 100+ 171.30 грн 500+ 152.43 грн купити В кошику  од. на суму  грн.
	IQD016N08NM5ATMA1	Виробник : Infineon Technologies	N-channel Power MOSFET	на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна 3+ 285.13 грн 10+ 251.06 грн 25+ 238.27 грн 100+ 202.67 грн 250+ 159.27 грн Мінімальне замовлення: 3 купити В кошику  од. на суму  грн.
	IQD016N08NM5ATMA1	Виробник : Infineon Technologies	N-channel Power MOSFET	на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна 40+ 307.06 грн 46+ 270.37 грн 48+ 256.59 грн 100+ 218.26 грн 250+ 171.52 грн Мінімальне замовлення: 40 купити В кошику  од. на суму  грн.
	IQD016N08NM5ATMA1	Виробник : Infineon Technologies	N-channel Power MOSFET	товару немає в наявності	купити В кошику  од. на суму  грн.
	IQD016N08NM5ATMA1	Виробник : Infineon Technologies	N-channel Power MOSFET	товару немає в наявності	купити В кошику  од. на суму  грн.
	IQD016N08NM5ATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V	товару немає в наявності	купити В кошику  од. на суму  грн.