Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IQD016N08NM5SCATMA1
IQD016N08NM5SCATMA1

IQD016N08NM5SCATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IQD016N08NM5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b6dff5a3603c Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
на замовлення 4808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+369.26 грн
10+278.49 грн
100+225.13 грн
500+183.50 грн
1000+158.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQD016N08NM5SCATMA1 Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA, Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V.

Інші пропозиції IQD016N08NM5SCATMA1 за ціною від 169.21 грн до 381.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IQD016N08NM5SCATMA1 IQD016N08NM5SCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_09_04_2024_DS_IQD016N08NM5SC_2_0-3500659.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+381.94 грн
10+315.57 грн
25+258.96 грн
100+221.44 грн
250+209.67 грн
500+197.16 грн
1000+169.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5SCATMA1 IQD016N08NM5SCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQD016N08NM5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b6dff5a3603c Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.