Продукція > INFINEON > IQD016N08NM5SCATMA1
IQD016N08NM5SCATMA1

IQD016N08NM5SCATMA1 INFINEON

4409637.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD016N08NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+240.11 грн
500+203.87 грн
1000+181.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQD016N08NM5SCATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IQD016N08NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 323A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 333W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WHSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm.

Інші пропозиції IQD016N08NM5SCATMA1 за ціною від 166.49 грн до 522.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IQD016N08NM5SCATMA1 IQD016N08NM5SCATMA1 Infineon Technologies infineoniqd016n08nm5scdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 31A 8-Pin WHSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+243.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5SCATMA1 IQD016N08NM5SCATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQD016N08NM5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b6dff5a3603c Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
на замовлення 2199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+417.87 грн
10+269.23 грн
100+193.60 грн
500+166.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5SCATMA1 IQD016N08NM5SCATMA1 INFINEON 4409637.pdf Description: INFINEON - IQD016N08NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+495.02 грн
10+331.39 грн
100+240.11 грн
500+203.87 грн
1000+181.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5SCATMA1 IQD016N08NM5SCATMA1 Infineon Technologies Infineon_09-04-2024_DS_IQD016N08NM5SC_2_0.pdf MOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+522.98 грн
10+338.00 грн
100+216.38 грн
500+192.42 грн
1000+170.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5SCATMA1 infineoniqd016n08nm5scdatasheetv0201en.pdf
IQD016N08NM5SCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 31A 8-Pin WHSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+243.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5SCATMA1 Infineon-IQD016N08NM5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b6dff5a3603c
IQD016N08NM5SCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
на замовлення 2199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+417.87 грн
10+269.23 грн
100+193.60 грн
500+166.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5SCATMA1 4409637.pdf
IQD016N08NM5SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD016N08NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+495.02 грн
10+331.39 грн
100+240.11 грн
500+203.87 грн
1000+181.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5SCATMA1 Infineon_09-04-2024_DS_IQD016N08NM5SC_2_0.pdf
IQD016N08NM5SCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+522.98 грн
10+338.00 грн
100+216.38 грн
500+192.42 грн
1000+170.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.