Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IQD020N10NM5ATMA1
IQD020N10NM5ATMA1

IQD020N10NM5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IQD020N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a467e766504b8 Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+363.96 грн
10+233.63 грн
100+167.44 грн
500+152.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQD020N10NM5ATMA1 Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA, Supplier Device Package: PG-TSON-8-9, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IQD020N10NM5ATMA1 за ціною від 142.93 грн до 369.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IQD020N10NM5ATMA1 IQD020N10NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IQD020N10NM5_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 6083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+369.30 грн
10+253.38 грн
100+157.58 грн
500+152.69 грн
1000+144.33 грн
5000+142.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqd020n10nm5-datasheet-v02_00-en.pdf N-channel Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+337.64 грн
44+296.94 грн
46+281.97 грн
100+240.04 грн
250+188.22 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqd020n10nm5-datasheet-v02_00-en.pdf N-channel Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+361.75 грн
10+318.15 грн
25+302.11 грн
100+257.18 грн
250+201.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqd020n10nm5-datasheet-v02_00-en.pdf N-channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5ATMA1 IQD020N10NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQD020N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a467e766504b8 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.