Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IQD020N10NM5ATMA1
IQD020N10NM5ATMA1

IQD020N10NM5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IQD020N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a467e766504b8 Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+330.26 грн
10+237.95 грн
100+180.07 грн
500+140.51 грн
1000+137.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQD020N10NM5ATMA1 Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA, Supplier Device Package: PG-TSON-8-9, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IQD020N10NM5ATMA1 за ціною від 150.81 грн до 379.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IQD020N10NM5ATMA1 IQD020N10NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IQD020N10NM5_DataSheet_v02_00_EN-3367090.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+379.37 грн
10+266.50 грн
25+225.12 грн
100+175.83 грн
500+150.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqd020n10nm5-datasheet-v02_00-en.pdf N-channel Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+296.38 грн
10+260.65 грн
25+247.51 грн
100+210.70 грн
250+165.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqd020n10nm5-datasheet-v02_00-en.pdf N-channel Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+319.18 грн
44+280.70 грн
46+266.55 грн
100+226.91 грн
250+177.93 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqd020n10nm5-datasheet-v02_00-en.pdf N-channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqd020n10nm5-datasheet-v02_00-en.pdf N-channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5ATMA1 IQD020N10NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQD020N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a467e766504b8 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.