Продукція > INFINEON > IQD020N10NM5CGATMA1
IQD020N10NM5CGATMA1

IQD020N10NM5CGATMA1 INFINEON


3983240.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 0.0018 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+212.47 грн
500+179.22 грн
1000+157.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQD020N10NM5CGATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 0.0018 ohm, TTFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 273A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: TTFN, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IQD020N10NM5CGATMA1 за ціною від 150.38 грн до 344.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IQD020N10NM5CGATMA1 IQD020N10NM5CGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQD020N10NM5CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188af8cc0be053c Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 4932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+310.19 грн
10+225.99 грн
25+207.86 грн
100+176.33 грн
250+167.39 грн
500+162.00 грн
1000+154.99 грн
2500+150.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGATMA1 IQD020N10NM5CGATMA1 Виробник : INFINEON 3983240.pdf Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 0.0018 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+336.91 грн
10+255.65 грн
100+212.47 грн
500+179.22 грн
1000+157.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGATMA1 IQD020N10NM5CGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IQD020N10NM5CG_DataSheet_v02_01_EN-3362775.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+344.23 грн
10+256.87 грн
25+206.01 грн
100+186.39 грн
250+179.60 грн
500+178.84 грн
1000+177.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGATMA1 IQD020N10NM5CGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqd020n10nm5cg-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 26A 9-Pin TTFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGATMA1 IQD020N10NM5CGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqd020n10nm5cg-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 26A 9-Pin TTFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqd020n10nm5cg-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 26A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGATMA1 IQD020N10NM5CGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQD020N10NM5CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188af8cc0be053c Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.