Продукція > INFINEON > IQD020N10NM5CGATMA1
IQD020N10NM5CGATMA1

IQD020N10NM5CGATMA1 INFINEON

3983240.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 1800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+198.17 грн
500+153.48 грн
1000+136.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQD020N10NM5CGATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 1800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 273A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 333W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TTFN, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm.

Інші пропозиції IQD020N10NM5CGATMA1 за ціною від 136.03 грн до 482.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IQD020N10NM5CGATMA1 IQD020N10NM5CGATMA1 Infineon Technologies infineon-iqd020n10nm5cg-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 26A 9-Pin TTFN EP T/R
на замовлення 3610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+243.98 грн
500+231.01 грн
1000+218.05 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGATMA1 IQD020N10NM5CGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQD020N10NM5CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188af8cc0be053c Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 4833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.94 грн
10+200.89 грн
25+184.78 грн
100+156.74 грн
250+148.80 грн
500+144.01 грн
1000+137.77 грн
2500+137.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGATMA1 IQD020N10NM5CGATMA1 INFINEON 3983240.pdf Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 1800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+296.85 грн
10+234.35 грн
100+198.17 грн
500+153.48 грн
1000+136.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGATMA1 IQD020N10NM5CGATMA1 Infineon Technologies Infineon_IQD020N10NM5CG_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 4333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+482.69 грн
10+312.06 грн
100+199.47 грн
500+177.62 грн
1000+157.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGATMA1 infineon-iqd020n10nm5cg-datasheet-v02_01-en.pdf
IQD020N10NM5CGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 26A 9-Pin TTFN EP T/R
на замовлення 3610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
145+243.98 грн
500+231.01 грн
1000+218.05 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGATMA1 Infineon-IQD020N10NM5CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188af8cc0be053c
IQD020N10NM5CGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 4833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+275.94 грн
10+200.89 грн
25+184.78 грн
100+156.74 грн
250+148.80 грн
500+144.01 грн
1000+137.77 грн
2500+137.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGATMA1 3983240.pdf
IQD020N10NM5CGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 1800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+296.85 грн
10+234.35 грн
100+198.17 грн
500+153.48 грн
1000+136.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGATMA1 Infineon_IQD020N10NM5CG_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IQD020N10NM5CGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 4333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+482.69 грн
10+312.06 грн
100+199.47 грн
500+177.62 грн
1000+157.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.