Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IQD020N10NM5CGSCATMA1

IQD020N10NM5CGSCATMA1

Infineon-IQD020N10NM5CGSC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b723eb9364b8
Код товару: 221391
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
очікується 10 шт:
10 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IQD020N10NM5CGSCATMA1 за ціною від 131.82 грн до 528.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IQD020N10NM5CGSCATMA1 IQD020N10NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies infineoniqd020n10nm5cgscdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 26A 9-Pin WHTFN EP T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.02 грн
10+143.98 грн
25+131.82 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGSCATMA1 IQD020N10NM5CGSCATMA1 INFINEON 4409629.pdf Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
на замовлення 4465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+211.33 грн
500+178.67 грн
1000+158.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGSCATMA1 IQD020N10NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies infineoniqd020n10nm5cgscdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 26A 9-Pin WHTFN EP T/R
на замовлення 4370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+261.65 грн
500+248.69 грн
1000+234.55 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGSCATMA1 IQD020N10NM5CGSCATMA1 INFINEON 4409629.pdf Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
на замовлення 4465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+436.64 грн
10+291.92 грн
100+211.33 грн
500+178.67 грн
1000+158.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGSCATMA1 IQD020N10NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies Infineon_09-04-2024_DS_IQD020N10NM5CGSC_2_0.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 3576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+519.69 грн
10+335.57 грн
100+214.27 грн
500+191.01 грн
1000+169.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGSCATMA1 IQD020N10NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQD020N10NM5CGSC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b723eb9364b8 Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+528.88 грн
10+341.92 грн
100+246.95 грн
500+193.78 грн
1000+185.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGSCATMA1 IQD020N10NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies infineoniqd020n10nm5cgscdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 26A 9-Pin WHTFN EP T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGSCATMA1 infineoniqd020n10nm5cgscdatasheetv0201en.pdf
IQD020N10NM5CGSCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 26A 9-Pin WHTFN EP T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+150.02 грн
10+143.98 грн
25+131.82 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGSCATMA1 4409629.pdf
IQD020N10NM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
на замовлення 4465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+211.33 грн
500+178.67 грн
1000+158.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGSCATMA1 infineoniqd020n10nm5cgscdatasheetv0201en.pdf
IQD020N10NM5CGSCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 26A 9-Pin WHTFN EP T/R
на замовлення 4370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
136+261.65 грн
500+248.69 грн
1000+234.55 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGSCATMA1 4409629.pdf
IQD020N10NM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
на замовлення 4465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+436.64 грн
10+291.92 грн
100+211.33 грн
500+178.67 грн
1000+158.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGSCATMA1 Infineon_09-04-2024_DS_IQD020N10NM5CGSC_2_0.pdf
IQD020N10NM5CGSCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 3576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+519.69 грн
10+335.57 грн
100+214.27 грн
500+191.01 грн
1000+169.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGSCATMA1 Infineon-IQD020N10NM5CGSC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b723eb9364b8
IQD020N10NM5CGSCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+528.88 грн
10+341.92 грн
100+246.95 грн
500+193.78 грн
1000+185.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGSCATMA1 infineoniqd020n10nm5cgscdatasheetv0201en.pdf
IQD020N10NM5CGSCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 26A 9-Pin WHTFN EP T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.