Продукція > INFINEON > IQD020N10NM5SCATMA1
IQD020N10NM5SCATMA1

IQD020N10NM5SCATMA1 INFINEON

4409638.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD020N10NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
на замовлення 4828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+208.04 грн
500+178.67 грн
1000+158.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQD020N10NM5SCATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IQD020N10NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 276A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 333W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WHSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm.

Інші пропозиції IQD020N10NM5SCATMA1 за ціною від 158.59 грн до 519.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IQD020N10NM5SCATMA1 IQD020N10NM5SCATMA1 Infineon Technologies infineoniqd020n10nm5scdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 26A 8-Pin WHSON EP T/R
на замовлення 3705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+261.65 грн
500+248.69 грн
1000+234.55 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5SCATMA1 IQD020N10NM5SCATMA1 Infineon Technologies infineoniqd020n10nm5scdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 26A 8-Pin WHSON EP T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+322.28 грн
10+277.59 грн
25+253.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5SCATMA1 IQD020N10NM5SCATMA1 Infineon Technologies infineoniqd020n10nm5scdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 26A 8-Pin WHSON EP T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+322.28 грн
51+277.59 грн
56+253.07 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5SCATMA1 IQD020N10NM5SCATMA1 INFINEON 4409638.pdf Description: INFINEON - IQD020N10NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
на замовлення 4828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+407.86 грн
10+273.00 грн
100+208.04 грн
500+178.67 грн
1000+158.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5SCATMA1 IQD020N10NM5SCATMA1 Infineon Technologies IQD020N10NM5SCATMA1.pdf Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 2671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+415.49 грн
10+267.86 грн
100+192.54 грн
500+165.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5SCATMA1 IQD020N10NM5SCATMA1 Infineon Technologies Infineon_09-04-2024_DS_IQD020N10NM5SC_2_0.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 9113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+519.69 грн
10+335.57 грн
100+214.27 грн
500+191.01 грн
1000+169.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5SCATMA1 infineoniqd020n10nm5scdatasheetv0201en.pdf
IQD020N10NM5SCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 26A 8-Pin WHSON EP T/R
на замовлення 3705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
136+261.65 грн
500+248.69 грн
1000+234.55 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5SCATMA1 infineoniqd020n10nm5scdatasheetv0201en.pdf
IQD020N10NM5SCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 26A 8-Pin WHSON EP T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+322.28 грн
10+277.59 грн
25+253.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5SCATMA1 infineoniqd020n10nm5scdatasheetv0201en.pdf
IQD020N10NM5SCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 26A 8-Pin WHSON EP T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
44+322.28 грн
51+277.59 грн
56+253.07 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5SCATMA1 4409638.pdf
IQD020N10NM5SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD020N10NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
на замовлення 4828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+407.86 грн
10+273.00 грн
100+208.04 грн
500+178.67 грн
1000+158.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5SCATMA1 IQD020N10NM5SCATMA1.pdf
IQD020N10NM5SCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 2671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+415.49 грн
10+267.86 грн
100+192.54 грн
500+165.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5SCATMA1 Infineon_09-04-2024_DS_IQD020N10NM5SC_2_0.pdf
IQD020N10NM5SCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 9113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+519.69 грн
10+335.57 грн
100+214.27 грн
500+191.01 грн
1000+169.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.